臺積電前研發副總裁林本堅近日在接受媒體采訪時提出一個引發行業關注的觀點:中國大陸或許能在不依賴EUV光刻機的情況下,通過現有浸潤式DUV光刻機實現5納米芯片制造。這位被譽為“浸潤式光刻機之父”的專家指出,浸潤式DUV技術本身具備突破更先進制程的潛力,其核心在于通過多重曝光等工藝優化提升分辨率。
回溯技術發展史,林本堅在臺積電期間主導研發的浸潤式光刻技術曾改寫行業格局。當時日本佳能、尼康等企業沉迷于干式光刻機的技術優勢,而荷蘭ASML公司抓住機遇與臺積電展開合作。雙方共同推動下,浸潤式光刻機迅速實現商業化,助力ASML在2008年前后超越日本同行登頂行業榜首。這段合作歷程不僅奠定了ASML的龍頭地位,也讓林本堅獲得“浸潤式光刻機之父”的稱號。
臺積電的工藝演進印證了這項技術的價值。其首代7納米工藝即采用浸潤式DUV光刻機配合多重曝光技術,雖成本較高但驗證了技術可行性。后續第二代7納米工藝引入EUV光刻機后,在性能與功耗方面取得顯著提升。值得注意的是,當前臺積電與三星在2納米制程上呈現不同技術路徑:三星已啟用第二代EUV光刻機,而臺積電仍使用第一代設備,這種選擇背后折射出對成本控制與技術成熟度的綜合考量。
中國芯片產業正沿著類似路徑展開技術攻關。據行業消息,國內企業已具備利用浸潤式DUV光刻機生產接近7納米工藝芯片的能力,若突破此節點將成為全球第四家掌握該技術的主體。更值得關注的是,中國在刻蝕機等配套設備領域已取得領先優勢,3納米級刻蝕機的研發成功為5納米制程攻關提供了重要支撐。這種“光刻機+刻蝕機”的協同創新模式,正在形成具有中國特色的技術發展路徑。
市場層面已顯現技術突破的實質影響。在手機芯片領域,采用國產7納米工藝的產品性能已接近國際主流水平;在AI芯片領域,中國企業甚至拒絕了英偉達定制版H20芯片的供貨,轉而使用自主研發的替代方案。這些進展表明,中國芯片產業正在構建從設計到制造的完整生態體系。若5納米制程實現突破,不僅將推動高端芯片國產化進程,更為關鍵設備研發爭取寶貴時間窗口。
行業專家分析指出,中國芯片產業的崛起呈現“雙輪驅動”特征:一方面通過現有設備深度挖掘技術潛力,另一方面在刻蝕機、光刻膠等配套領域實現重點突破。這種發展模式既規避了高端光刻機進口受限的制約,又通過工藝創新保持技術迭代速度。隨著7納米制程的逐步成熟,5納米攻關已進入關鍵階段,其成功與否將決定中國芯片產業能否真正躋身全球第一梯隊。
本文鏈接:http://www.yifxia.cn/showinfo-22-185986-0.html浸潤式光刻機之父發聲:中國或憑DUV光刻機突破5納米,潛力待挖成本待解
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com