K60至尊版狂暴引擎2.0加持：超177萬跑分斬獲性能第一
Redmi的后性能時代戰略發布會今天下午如期舉辦，在本次發布會上，Redmi公布了多項關于和聯發科的深度合作，以及新機K60 Ultra在軟件和硬件方面的特性，例如：“K60 至尊版，雙芯旗艦
加州大學圣巴巴拉分校將生長Ga2O3，用于功率器件和射頻器件，而圣母大學將生產SiC芯片，用于量子計算 Agnitron Technology總部位于明尼蘇達州，是一家專業MOCVD公司，今年夏季在美國兩所大學安裝了定制系統。一個是加州大學圣巴巴拉分校，利用該系統生長超寬帶隙(UWBG) Ga2O3，用于功率器件和射頻器件。另一個是印第安納州圣母大學，利用該系統開發寬帶隙(WBG) SiC器件，用于量子計算。 2023年7月，Agnitron在加州大學圣巴巴拉分校安裝了研發氧化鎵的MOCVD Agilis 100系統，并證明該系統達標。Agnitron和加州大學圣巴巴拉分校已經在類似領域合作了5年多，但新安裝的系統意味著，加州大學圣巴巴拉分校可以自主生長材料，從而獲得更強的靈活性和創新性。 加州大學圣巴巴拉分校的Agnitron Agilis 100系統具有六個金屬有機通道、兩條氧化前體線和硅摻雜能力，在高達1100°C的襯底工藝溫度下，可以進行生長。該系統采用第二代遠程注入，附加了近距離注入噴頭，還擁有用來控制生長參數的原位高溫測量和反射測量，以及Agnitron最新的軟件控制平臺Imperium。 據該公司稱，與其他技術相比，該系統顯著減少了氣相反應，且在直徑兩英寸的晶圓上具有出色的厚度均勻性。此外，Agnitron表示Agilis 100 MOCVD平臺也可以輕松轉換，用來生長GaN外延層和AlN外延層。 領導加州大學圣巴巴拉分校Ga2O3研究的Sriram Krishnamoorthy教授表示：“我們期待與Agnitron合作，以進一步開發超寬帶隙Ga2O3，合金和異質結構的外延層，并將其轉化為可創紀錄的器件性能。我們之前在猶他大學使用過Agnitron Agilis氧化鎵MOCVD系統，我們很高興能夠重復并改善這一經驗，獲得品質最高的外延薄膜。” Agnitron銷售副總監Paul Fabiano評論道：“我們很高興與加州大學圣巴巴拉分校在UWBG材料方面進行合作。對于未來的射頻器件技術和功率器件技術來說，MOCVD Agilis 100系統是一個至關重要，且不斷擴展的材料系統。” 此外，今年夏季，Agnitron向圣母大學工程學院交付了MOCVD/CVD工具。該系統名為Agilis Mini，將開發SiC器件，用于量子計算。Agnitron總裁兼首席執行官Andrei Osinsky表示：“Agnitron今年推出了Agilis Mini，與Agilis 100相同，Agilis Mini為研究團隊提供了最先進的屬性，但其預算更為有限。隨著時間的推移，該工具可以通過其他技術得到增強和升級。然而，Agilis Mini開箱即用，可以滿足客戶當前的研發需求。” 圣母大學的chris Henkle表示：“我們需要一種新型工具來制造品質最高的SiC，用于量子互連。之所以選擇Agnitron的Mini-Agilis，是因為該公司的聲譽和工具設計，其中工具設計能為使用壽命長的量子位提供所需純度。” 圣母大學的工程潔凈室正在安裝該工具。其所在建筑中還設有許多其他類型的半導體設備和實驗室，供學生和教師使用。 【近期會議】
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