據市場研究機構TrendForce發布的最新報告顯示，得益于AI芯片需求的增長，三大DRAM原廠正加大力度推進HBM4產品的研發進度。然而，HBM4的I/O數量增加，芯片設計復雜度提高，導致所需晶圓面積擴大。此外，部分供應商轉向邏輯基底芯片架構以提升性能，這些因素都將推高成本。考慮到HBM3e剛推出時溢價約20%，制造難度更高的HBM4溢價幅度可能超過30%。
最新數據顯示，英偉達的Rubin GPU和AMD MI400都將采用HBM4。相比上代產品，HBM4的I/O數量從1,024提升至2,048，數據傳輸速率維持在8.0Gbps以上，與HBM3e相當。這意味著在相同傳輸速度下，HBM4憑借更高的信道數量可實現數據傳輸總量翻倍。
目前，HBM3e的base die采用內存架構，僅負責信號轉接。而SK海力士與三星的HBM4 base die將與晶圓代工廠合作，改為邏輯芯片架構，整合HBM與SoC功能，不僅能加速數據路徑、降低延遲，還能在高速數據傳輸環境下提升穩定性。
TrendForce預測，到2026年，HBM市場總出貨量將突破300億Gb，HBM4市占率將隨著供應商逐步放量而逐季提升，預計在2026年下半年超越HBM3e系列產品，成為市場主流。在供應商表現方面，SK海力士將以超過50%的市占率穩居領先地位，而三星與美光則需進一步提升產品良率與產能，才能縮小差距。

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