Find N3入網(wǎng)：最高支持16+1TB
OPPO將于近期登場(chǎng)的Find N3折疊屏目前已經(jīng)正式入網(wǎng)，型號(hào)為PHN110。本次Find N3在外觀方面相比前兩代有很大的變化，不再是小號(hào)的橫向折疊屏，而是跟別的廠商一樣采用了較為常見(jiàn)的
美光旨在通過(guò)其最新一代高帶寬內(nèi)存 (HBM3) 技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬、效率和速度之間的平衡。
美光科技最近宣布“業(yè)界首款”HBM3 Gen2內(nèi)存芯片已進(jìn)入樣品階段。隨著生成式人工智能模型變得越來(lái)越普遍，設(shè)計(jì)人員必須克服人工智能內(nèi)存在效率、成本和性能瓶頸。與傳統(tǒng)內(nèi)存解決方案相比，第二代 HBM3 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，因此可以解決其中一些痛點(diǎn)。
美光的 HBM3 Gen2 內(nèi)存芯片可以提高密度和帶寬，同時(shí)降低功耗并提高計(jì)算模塊的效率。 圖片由美光科技提供
最新的 HBM3 內(nèi)存基于美光的 1β（1-beta）DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)構(gòu)建，最多允許 24 Gb 內(nèi)存芯片堆疊成 8 或 12層3D 堆棧。 不僅提高了純存儲(chǔ)密度，還提高了帶寬和功耗性能。 本文深入探討了這些優(yōu)勢(shì)以及美光科技最新的內(nèi)存產(chǎn)品，讓讀者了解 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)如何實(shí)現(xiàn)新的、強(qiáng)大的內(nèi)存進(jìn)步。
HBM3 標(biāo)準(zhǔn)因?qū)焖佟⒏咝?nèi)存的需求而興起
自推出以來(lái)，馮·諾依曼架構(gòu)就一直是芯片設(shè)計(jì)師的掣肘。對(duì)于需要大量?jī)?nèi)存的人工智能模型尤其如此，內(nèi)存墻一直是整個(gè)系統(tǒng)的瓶頸。
為了應(yīng)對(duì)這一限制，HBM 使用 3D 集成來(lái)進(jìn)一步耦合計(jì)算和內(nèi)存芯片，并提供更高的整體帶寬和功效。 HBM3 Gen1 是 JEDEC 最新批準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)，以 HBM2 和 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)，支持未來(lái)堆疊內(nèi)存芯片的更高帶寬和能效。
HBM3 內(nèi)存使用垂直堆疊芯片來(lái)提高內(nèi)存密度和帶寬性能。 圖片由 Synopsys 提供
盡管內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)主要關(guān)注速度和帶寬，但功耗才是大型部署效率低下的主要原因。 因此，HBM3標(biāo)準(zhǔn)不僅將帶寬從3.6 Gbps增加到6.4 Gbps，將最大容量從16 GB增加到64 GB，而且大大降低了存儲(chǔ)設(shè)備的核心電壓和功耗。
美光 HBM3 Gen2：提高每瓦性能
盡管 JEDEC 尚未發(fā)布 HBM3 Gen2 標(biāo)準(zhǔn)，但美光等公司正在開(kāi)發(fā)下一代 HBM 設(shè)備，以滿足新興應(yīng)用的內(nèi)存需求。 美光 HBM3 Gen2 芯片以其 HBM2E 產(chǎn)品組合為基礎(chǔ)，出色的性能使其成為帶寬密集型應(yīng)用的有吸引力的解決方案。
HBM3 內(nèi)存允許將內(nèi)存芯片放置在非常靠近計(jì)算模塊的位置，從而降低處理器和內(nèi)存之間的延遲，并提高內(nèi)存密集型應(yīng)用程序的性能。 圖片由 Synopsys 提供
就純帶寬而言，HBM3 Gen2 芯片支持超過(guò) 1.2 TB/s 的內(nèi)存帶寬，可與 AI 計(jì)算核心結(jié)合使用，并且12層堆疊比8層容量密度增加50%。 HBM3 Gen2 提高了性能并降低了功耗，每瓦性能提高了 2.5 倍，從而降低了系統(tǒng)的總運(yùn)營(yíng)成本。
美光將于 2024 年第一季度開(kāi)始發(fā)售其 36 GB 12層堆疊HBM3。這種使用先進(jìn)封裝和集成技術(shù)的更高帶寬內(nèi)存的趨勢(shì)預(yù)示著復(fù)雜 AI 模型的未來(lái)。
更多維度的內(nèi)存
雖然并非所有設(shè)計(jì)人員都會(huì)直接使用堆疊內(nèi)存芯片，但所有領(lǐng)域的工程師都會(huì)感受到 HPC 和 AI 應(yīng)用內(nèi)存帶寬改進(jìn)的效果。通過(guò)提高內(nèi)存速度和能效，AI 模型和 HPC 集群可以以更低的總成本提供更多優(yōu)勢(shì)。
隨著官方 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展，像美光這樣的芯片制造商可能會(huì)對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)的局限性做出迅速反應(yīng)。 例如，堆疊層數(shù)上限可能會(huì)限制3D 內(nèi)存芯片的整體容量和帶寬。
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